Những chuyên gia của Trường Đại học Nghiên cứu Hạt nhân Quốc gia Nga MEPhI đã chế tạo một loạt bàn phim siêu mỏng đa lớp có khả năng tạo cơ sở cho ngành điện tử và năng lượng tương lai.
Kết quả đã đạt được nhờ những cuộc nghiên cứu làm sáng tỏ điều kiện của quá trình tổng hợp nhiệt của những cấu trúc dị hóa căn cứ trên chuyển đổi kim loại dichalcogenides (TMDCs) MoS2, WS2, MoSe2 và WSe2.
Những bàn phim siêu mỏng của disulfua và diselenides của các kim loại chuyển tiếp (ví dụ, molypden và vonfram) có đặc trưng hấp thụ ánh sáng khá thành công. Nguyên nhân của điều đó là các tinh nguy cơ của TMDCs có kích thước rất nhỏ vì thế sự hấp thụ ánh sáng có thể diễn ra mà không có sự tham gia của phonon - dao động mạng.
Đồng thời, trên bề mặt những tinh nguy cơ nano có khả năng tạo ra điều kiện để phân tách những phân tử nước thành hydro và oxy. Nhờ đó những bàn phim TMDCs siêu mỏng có triển vọng đầy hứa hẹn trong phản ứng xúc tác quang hoá cũng như để tạo ra nhiều thiết bị quang điện tử hiện đại - từ bộ tách sóng quang tới bộ chuyển đổi quang điện.
Bàn phim siêu mỏng của disulfua và diselenides có đặc trưng hấp thụ ánh sáng khá thành công.
"Điều quan trọng là tạo ra bàn phim đa lớp bằng phương pháp xác định cơ hội cần thiết để tất cả những lớp TMDCs không gây thiệt hại cho lớp màng mỏng bằng một vật liệu TMDCs khác đã được áp dụng trước đó. Chúng tôi đã nghiên cứu những điều kiện để tạo ra màng TMDCs siêu mỏng chất lượng tương đối cao bằng kỹ thuật chữa trị nhiệt hóa những số tiền chất màng mỏng kim loại và oxit kim loại Mo và W trong hơi sulfur hoặc hơi selen, cũng như trong khí hydrogen sulfide", kỹ sư Dmitry Fominsky từ Đại học MEPhI, chuyên trong lĩnh vực lắng đọng xung laser màng mỏng và cấu trúc nano, nói với Sputnik.
Theo ông, những bàn phim đó đã được nghiên cứu có sử dụng các biện pháp hiện đại: kính hiển vi điện tử quét, quang phổ Raman, quang phổ quang điện tử tia X. Kết quả nghiên cứu cho biết rằng, quá trình biến đổi bàn phim chứa Mo trong hơi lưu huỳnh hoặc hydrogen sulfide tùy thuộc vào trạng thái hóa học của "tiền thân" ban đầu, được tạo ra bằng phương pháp lắng đọng bằng xung laze.
Việc dùng kỹ thuật lắng đọng bằng xung laze cho phép tạo ra "phôi tấm"của bàn phim với độ dày và thành phần hóa học nhất định. Điều đó đã giúp những nhà khoa học xác định các cơ hội cần thiết để sunfua hóa thành công những phim Mo và MoOx để tạo ra bàn phim siêu mỏng MoS2 ở nhiệt độ dưới 500°C.
"Chúng tôi cũng đã tạo ra được những bàn phim từ kim loại chuyển tiếp, ví dụ, lớp vonfram diselenide, với mạng tinh nguy cơ 2H hoàn hảo. Kết quả nghiên cứu cho phép tạo ra màng bán dẫn siêu mỏng loại Mo (W) SxSe2-x, có những đặc tính hữu ích được điều chỉnh tại nồng độ kim loại (W / Mo) và chalcogens (S/Se)", bác sĩ Dmitry Fominsky cho nhận thấy.
Nhóm các nhà khoa học đã công bố kết quả nghiên cứu ở Hội thảo quốc tế lần thứ 16 "Vật liệu mới: Nhiên liệu hạt nhân có sức chịu đựng cao". Họ lưu ý rằng, những thời cơ về công nghệ và nhiệt độ trong quá trình bắt nguồn molypden sulfua và selenua vonfram khá giống nhau. Nhưng, theo các chuyên gia của Đại học MEPhI, nếu dùng các mức phí chất (kim loại, oxit kim loại) và phương tiện hoạt động chứa chalcogen, thì có thể lựa chọn những cơ hội cần thiết để tạo ra bàn phim siêu mỏng với những đặc tính cấu trúc và hóa học cụ khả năng.
Tại các bàn phim có khả năng hoạt động như chất xúc tác quang học- trong tương lai phát minh này sẽ giúp chiết xuất hiệu quả hơn các thành phần nhiên liệu mặt trời (hydro và oxy) từ nước, mà không dùng vật liệu đắt mức phí bằng các kim loại nhóm bạch kim.
0 Nhận xét:
Đăng nhận xét